A. Tossin , Alamsyah and E, Shintadewi and Danang, Wijayanto (2015) PENGARUH PROFILE GRADED HBT SiGe (Hetero Junction Bipolar Transistor Silicon- Germanium) TERHADAP NILAI PARAMETER SCATTERING. Prosiding SEMINAR NASIONAL FORUM IN RESEARCH, SCIENCE, AND TECHNOLOGY (FIRST) 2015. ISSN 2461-0739
|
Text (Abstrak)
A7-A11.pdf Download (16kB) | Preview |
Abstract
Teknologi epitaksi modern pada heterojunction Silikon (Si) dan Germanium (Ge) atau SiGe seperti MBE (Molecular Beam Epitaxy) , UHV/CVD (Ultra High Vacuum / Chemical Vapor Deposition) dan LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) digunakan untuk merealisasikan profile doping Ge pada rancangan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT). Pada Penelitian ini dilaksanakan simulasi dan analisa profile doping Ge pada HBT dengan bentuk profile Segiempat, Segitiga dan Trapesium dengan mole fraction (x) 0.1 dan 0.2. Model rancangan Struktur HBT yang dianalisa memiliki Lebar Kolektor (Wc) 350 nm, Doping Kolektor (Nc) 3.1017 , Lebar basis (Wb) 40 nm, Konsentrasi basis (Nb) 1019 cm-3, AE 0,25×10 µm2 , WE 10 nm, NE maksimum 1021 cm-3. Dengan pengaturan Profile graded SiGe pada Basis memberikan pengaruh yang berbeda pada frekuensi threshold dan Frekuensi maksimum yang berbeda dengan current gain (Ai) yang hampir sama yaitu sekitar 1000 sampai 1090. Dengan demikian dihasilkan bahwa Profile Ge segi empat menghasilkan paramater scattering yang yang lebih lebar disbanding yang lain yaitu untuk S11 0.18<-9 (min) dan 0.278<-178 (maks), S12 0.0175<-2 (min) dan 0.3471<-171(maks), S21 2.88<9 (min) dan 56.99<178 (maks) serta S22 0.27<12(min) dan, 0.42<-181(maks).
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | profile graded , HBT SiGe, Scattering Paramater |
| Subjects: | Q Science > Q Science (General) |
| Divisions: | General > Proceeding and Seminar |
| Depositing User: | Ms Yulia Hapsari |
| Date Deposited: | 28 Jan 2016 03:22 |
| Last Modified: | 28 Jan 2016 03:22 |
| URI: | http://eprints.polsri.ac.id/id/eprint/2499 |
Actions (login required)
 |
View Item |
