UTAMI, NADIA PUTRI (2017) ANALISA KONDISI OPTIMUM PANEL SURYA BERBASIS LIMBAH TRANSISTOR 2N3055 BERDASARKAN DAYA YANG DIHASILKAN. Other thesis, POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA.
|
Text (Cover)
File 1.pdf Download (754kB) | Preview |
|
|
Text (BAB I)
File 2.pdf Download (285kB) | Preview |
|
|
Text (BAB II)
File 3.pdf Download (1MB) | Preview |
|
![[img]](http://eprints.polsri.ac.id/style/images/fileicons/text.png) |
Text (BAB III)
File 4.pdf Restricted to Repository staff only Download (439kB) | Request a copy |
|
|
Text (BAB IV)
File 5.pdf Restricted to Repository staff only Download (609kB) | Request a copy |
|
|
Text (BAB V)
File 6.pdf Download (265kB) | Preview |
|
|
Text (Daftar Pustaka)
File 7.pdf Download (363kB) | Preview |
|
|
Text (Data Pengamatan)
File 8.pdf Download (912kB) | Preview |
Abstract
Sebagai sumber daya alam yang melimpah, pemanfaatan energi matahari menjadi energi alternatif dapat dilakukan dengan Proses Konversi Energi matahari menjadi energi listrik (solar cell). Energi matahari masih belum banyak dimanfaatkan secara optimal dikarenakan harga panel surya yang masih mahal. Solar cell berkembang seiring dengan teknologi semikonduktor. Produk semikonduktor telah banyak bertaburan di perangkat alat – alat elektronika salah satunya yaitu transistor. Satu transistor dapat menghasilkan tegangan sekitar 0,4 - 0,6 volt. Perancangan alat Prototype Power Suplay dengan bahan utama transistor 2N3055 sebanyak 96 buah. Dari hasil penelitian dan pengolahan data, Komposisi transistor tipe 2N3055 berdasarkan uji analisa SEM-EDX terdiri dari unsur Aluminium (Al) 45,55 %, Carbon (C) 32,40 %, Nb (Niobium) 13,42 %, Zr (Zirconium) 7,02 %, dan O (Oxygen) 1,61 %. Pada percobaan jam 10.00 – 11.00 WIB dengan didapat masing – masing temperatur 28oC - 29oC memiliki daya yang cukup besar yakni 3,08 – 3,13 watt dibandingkan pada jam 12.00 – 13.00 WIB dengan temperatur 30,3oC – 31oC memiliki daya yang kecil 2,31 – 2,38 watt. Intensitas tertinggi yaitu pada tanggal 6 Juni 39326 Lux atau 57,58 W/m2 menghasilkan daya 3,14 watt. Dengan pengaruh faktor yang ada panel sel surya berbasis transistor dengan luas penampang 0,24 m2 menghasilkan efisiensi 24,1 % dengan daya yang masuk atau daya yang diserap panel didapat 11,33 watt serta daya yang keluar 2,73 watt.
| Item Type: | Thesis (Other) |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | Efisiensi, Intensitas, Temperatur, Transistor, Solar Cell |
| Subjects: | T Technology > TP Chemical technology |
| Divisions: | Energy Engineering > Undergraduate Theses |
| Depositing User: | Mrs Trisni Handayani |
| Date Deposited: | 11 Mar 2019 08:45 |
| Last Modified: | 11 Mar 2019 08:45 |
| URI: | http://eprints.polsri.ac.id/id/eprint/5184 |
Actions (login required)
 |
View Item |
